2013/08/13

Samsung、初の 3D Vertical NANDフラッシュの量産を開始

Samsungが、既存のNAND技術の現状のノスケーリングの限界を撃ち破る初の3D Vertical NAND (V-NAND)フラッシュメモリの量産を開始した。同社によると、新しい3D V-NANDフラッシュメモリは、組込型NANDストレージとsolid state drive (SSD) を含む、広範囲の家電と企業向けアプリケーションに使用される。Samsungは、新しいV-NANDはシングルチップで128ギガバイト(Gb)の密度を提供し、同社の特許である3D Charge Trap Flash (CTF) 技術をベースとしたvertical cellストラクチャを利用し、vertical interconnectプロセス技術により3Dセルアレイにリンクする。これらの2つの技術を適用することのより、Samsungの3D V-NANDは20nmクラス平面 NANDのスケーリングの倍以上を提供する。同社のフラッシュと技術担当上級副社長兼であるJeong-Hyuk Choi氏は、「新しい3D V-NAND フラッシュ技術は、我々の従業員の数年に渡る独創性を欠いた方法思考と、メモリ半導体技術のデザインにおける限界を打ち破る革新的なアプローチ努力の結果である。世界初の3D Vertical NANDフラッシュメモリの量産に次いで、我々は、パフォーマンスが改善され、より高密度の3D V-NAND製品の発売を継続し、世界のメモリ産業のさらなる成長に貢献する」と述べている。

コメント

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2013/8/13 下午 06:34:00
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